ترانزیستور

                                                                                     

ساختمان داخلی ترانزیستور :

ترانزیستور از سه لایه نیمه هادی نوع P , N  كه در كنار هم قرار می گیرند تشكیل شده است . این لایه های نیمه هادی به دو صورت كنار هم چیده می شوند .

P-N-P         ,           N-P-N

ترانزیستور NPN ( تیپ منفی ) و ترانزیستور PNP ( تیپ مثبت ) .

سه پایه ای كه از نیمه هادی ها خارج می شوند به نام های امیتر (E)  یا منتشر كننده ، بیس (B) یا پایه و كلكتور (C) یا جمع كننده نام گذاری شده اند . نیمه هادی كه امیتر را تشكیل میدهد نسبت به دولایه ی بیس و كلكتور ناخالصی بیش تری دارد و لایه ی بیس نسبت به كلكتور و امیتر ناخالصی كم تری دارد .

در نتیجه از نظر ناخالصی پایه های ترانزیستور به این ترتیب از كم به زیاد قرار می گیرند : بیس ، كلكتور و امیتر .

مدل دیودی ترانزیستور :

این نوع  ترانزیستورها را به اختصار ترانزیستورهای BJT  (Bipolar Juncetion Transistor )  یا ترانزیستورهای اتصال قطبی ( دو قطبی )  می نامند .

عبارت Bipolar  یا دو قطبی ناشی از عملكرد الكترون ها و حفره ها به عنوان حامل های جریان می باشد .

 

ادامه مطلب

ترانزیستور